記者日前從華東理工大學(xué)了解到，該校清潔能源材料與器件團隊自主研發(fā)了一種鈣鈦礦單晶晶片通用生長技術(shù),，將晶體生長周期由7天縮短至1.5天,，實現(xiàn)了30余種金屬鹵化物鈣鈦礦半導(dǎo)體的低溫、快速,、可控制備,，為新一代高性能光電子器件提供了豐富材料庫。相關(guān)成果發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《自然·通訊》,。
華東理工大學(xué)科研人員展示鈣鈦礦單晶晶片通用生長技術(shù)
長期以來,，國際上未有鈣鈦礦單晶晶片的通用制備方法，傳統(tǒng)方法僅能以滿足高溫環(huán)境,、生長速率慢的方式制備幾種毫米級單晶,，極大限制了單晶晶片的實際應(yīng)用。對于鈣鈦礦單晶晶片生長所涉及的成核,、溶解,、傳質(zhì)、反應(yīng)等多個過程,，華東理工大學(xué)團隊結(jié)合多重實驗論證和理論模擬,，揭示了傳質(zhì)過程是決定晶體生長速率的關(guān)鍵因素，由此研發(fā)了以二甲氧基乙醇為代表的生長體系,，通過多配位基團精細調(diào)控膠束的動力學(xué)過程,，使溶質(zhì)的擴散系數(shù)提高了3倍。在高溶質(zhì)通量系統(tǒng)中,，研究人員實現(xiàn)了將晶體生長環(huán)境溫度降低60攝氏度,，晶體生長速率提高4倍，生長周期由7天縮短至1.5天,。
該成果主要完成人之一,、華東理工大學(xué)教授侯宇說，“我們突破了傳統(tǒng)生長體系中溶質(zhì)擴散不足的技術(shù)壁壘,，提供了一條更普適,、更高效,、更低條件的單晶晶片生長路線?！?/strong>
來源：人民日報
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